فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

اتصالات فلز – نیمرسانای شاتکی بعنوان بخش پیچیده قطعات نیمرسانا و صنعت الکترونیک مورد توجه بوده‌اند. در این مقاله دیودهای شاتکی Al/p-Si به روش لایه نشانی تبخیر حرارتی بر بستر سیلیکان نوع پذیرنده ساخته و بر اساس نظریه گسیل گرما یونی مشخصه یابی شدند. پارامترهای فاکتور ایده‌آل، ارتفاع سد شاتکی و جریان اشباع معکوس، با انداز‌ه‌‌گیری منحنی جریان- ولتاژ (I-V) دیودهای بازپخت شده در محدوده دمایی °C 100-350 بدست آمدند. تأثیر بازپخت بر پارامترهای دیود سد شاتکی بررسی و مشخص شد که دمای بهینه بازپخت °C 250 می‌باشد. سپس مشخصه جریان- ولتاژ دیودهای ساخته شده در گستره دمایی 300-15 کلوین اندازه‌گیری و فاکتور ایده‌آل، ارتفاع سد شاتکی و جریان اشباع معکوس تعیین گردید. مشخص شد با کاهش دمای دیود، ارتفاع سد شاتکی و جریان اشباع معکوس کاهش، اما فاکتور ایده‌آل افزایش می‌یابد. در خاتمه ارتفاع سد شاتکی و ثابت ریچاردسون دیود مذکور با در نظر گرفتن توزیع گاوسی ارتفاع سد محاسبه شدند. مقدار بزرگ و غیر منتظره فاکتور ایده‌آل را می‌توان با پراکندگی حامل‌ها از اتمهای Al نفوذ یافته به نیمرسانا در نزدیکی میانگاه Al/Si توجیه کرد.