فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مقاله یک تقویت‏ کننده کم‏ نویز دوطبقه برای کاربردهای پهن ‏باند ارائه‌ می ‏شود. با به ‏کار گیری تکنیک فیدبک مثبت- منفی، ساختار پیشنهادی به تطبیق امپدانس وسیع، عدد نویز پایین و بهره یکنواخت بالا دست می‏ یابد. طبقه ورودی گیت‏ مشترک از تکنیک gm-افزایش یافته برای کاهش نویز استفاده می‏ کند. همچنین، فیدبک ترانسفورمری مثبت برای افزودن درجه آزادی در انتخاب ترارسانایی ترانزیستور ورودی این طبقه استفاده می ‏شود. تقویت ‏کننده کم‏ نویز پیشنهادی بر اساس تکنولوژی µm CMOS 0.18 طراحی و شبیه‏ سازی ‌شده است. نتایج شبیه ‏سازی نشان می‏ دهد که این تقویت ‏کننده در باند فرکانسی GHz 6.5-10.5، دارای بهره توان (S21) یکنواخت dB 18±0.5، عدد نویز پایین‏تر از dB 3 و تلفات بازگشتی ورودی (S11)، کمتر از dB -10 است. همچنین، توان مصرفی آن نیز mW 8 از سطح منبع تغذیه پایین V 0.85 است.