فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

امروزه با پیشرفت روز افزون تکنولوژی، نیاز به مدارات و حافظه های پرسرعت با حفظ پایداری و مصرف توان کم افزایش یافته است. در این مقاله، یک سلول SRAM نه ترانزیستوری پایدار و بهبود یافته برای کاربردهای پر سرعت با مصرف کم توان نشتی پیشنهاد شده است. در این طرح، از دو تکنیک تفکیک مسیر خواندن و نوشتن و تکنیک " stack effect" به طور همزمان به منظور بهبود عملکرد خواندن و نوشتن استفاده شده است. نتایج شبیه سازی در تکنولوژی CMOS 32 نانومتری نشان می دهد که سلول پیشنهادی در ردیف سلول های بسیار سریع قرار می گیرد. این در حالی است که توان نشتی سلول پیشنهادی نسبت به سلول های سریع 16 تا 41 درصد کاهش یافته است. لازم به ذکر است که پایداری سلول پیشنهادی در مد خواندن نسبت به سلول 6 ترانزیستوری پایه تقریبا دو برابر شده است.