فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مقاله، ساختار ترانزیستوری به‌نام ترانزیستور بدون پیوند نانولوله کربنی را با استفاده از تابع گرین غیرتعادلی ‏شبیه‌سازی کرده‌ایم. ترانزیستورهای بدون پیوند (‏JL-FET‏) ساختارهای بدیعی هستند که ضمن تسهیل فرآیند ساخت ‏مشخصات الکترونیکی مطلوبی فراهم می‌کنند. ما با اعمال مفهوم بدون پیوند به ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولوله کربنی ‏‏(‏CNTFET‏)، مشخصات الکترونیکی یک ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی بدون پیوند (‏JL-CNTFET‏) را بررسی کرده ‏و با ترانزیستور نانولوله کربنی معمولی (‏C-CNTFET‏) مقایسه کرده‌ایم. پارامترهایی نظیر سویینگ زیرآستانه، نسبت جریان ‏روشنی به جریان خاموشی و مشخصه خروجی ترانزیستور برای ساختارهای مذکور محاسبه شده‌اند. همچنین حساسیت ‏Ion/Ioff ‎‏ ترانزیستور ‏JL-CNTFET‏ به تغییر کایرالیتی و چگالی ناخالصی بررسی شد‌ه‌است.‏‎ ‎نتایج حاصل از شبیه‌سازی ‏نشان می‌دهد که ترانزیستورهای نانولوله کربنی بدون پیوند با داشتن ولتاژ آستانه و شیب زیرآستانه کوچکتر و همچنین ‏جریان خروجی بیشتر در حدود دو برابر ‏C-CNTFET‏ گزینه مناسبی برای کاربردهای دیجیتال هستند. به منظور شبیه‌سازی ‏کامپیوتری از روش حل خودسازگار معادله پوآسن و شرودینگر از طریق روال ‏NEGF‏ تحت شرایط بالستیک استفاده ‏شده‌است.‏