کلید تمامنوری غیرخطی با ساختار تداخلی ساگناک مبتنی بر تقویتکننده نوری نیم رسانا و آثار متقابل پالسهای خلاف جهت
نویسندگان
1 دانشگاه تربیت مدرس
2 دانشگاه کردستان
3 دانشگاه تربیت مدرس- عضو هیات علمی
doi
چکیده
در این مقاله ساختار تداخلی ساگناک بر پایهی اثرات متقابل پالسهای خلاف جهت فوق باریک درتقویتکننده نوری نیم رسانا مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. با استفاده از مدلی جامع،معادله شرودینگر غیرخطی تعمیم یافته با در نظر گرفتن کلیه پدیدههای غیرخطی در حوزه زیرقله و ثانیه از جمله پراش سرعت گروه( GVD )، تغییرات غیرخطی بهره و ضریب شکست،سوختگی طیفی( SHB )، داغشدگی حامل( CH ) و جذب دو فوتونی( TPA ) برای انتشار پالس درتقویتکننده نوری نیم رسانا به کار گرفته شده است. با استفاده از مدل اشاره شده برای اولین بارآهنگ کلید زنی را در درگاه خروجی مورد نظر به آهنگ 167 Gb/s از میان رشته داده با آهنگ667 Gb/s رساندهایم. همچنین تأثیر بهره سیگنال کوچک (غیر اشباع) تقویتکننده، پهنا و انرژیپالس کنترل بر عملکرد کلید بررسی شده است.