فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

تقویت‌کننده‌های کم‌نویز در گیرنده‌های رادیویی معمولا اولین بلوک بعد از آنتن هستند و وظیفه آن‌ها تقویت سیگنال دریافتی از آنتن بدون افزودن هرگونه نویز و اعوجاج است. از مهم‌ترین مشخصه‌های مطلوب در یک تقویت‌کننده کم‌نویز می‌توان به بهره نسبتا بالا، توان مصرفی پایین، تطبیق مناسب امپدانس ورودی و خروجی، و عدد نویز کم در آن‌ها اشاره کرد. در این مقاله یک تقویت‌کننده کم‌نویز فراپهن‌باند با استفاده از روش حذف نویز ارائه شده است که در آن با استفاده از فیدبک مثبت در مسیر حذف نویز و ارائه یک ساختار زیرِ یک ولت، توان مصرفی به طرز چشمگیری کاهش داده شده است. مدار پشنهادی در این مقاله مورد تحلیل و شبیه سازی قرار گرفته و پایداری مطلق آن نیز اثبات گردیده است. جانمایی این تقویت‌کننده در فناوری TSMC 0.18µm RF-CMOS  با استفاده از نرم‌افزار Cadence-IC رسم و مورد شبیه سازی قرار می­گیرد. شبیه­سازی­ها نشان می­دهد عدد نویز این ساختار نسبت به ساختار متداولی که آن را توسعه داده­ایم حدود dB2 بهبود داشته به طوریکه عدد نویز آن در بازه فرکانسی GHz2 تا GHz12 به محدوده dB6/3 تا dB5/4رسیده است و در کلِ بازه فرکانسی تغییرات بسیار کمی دارد. بهره بیشینه این تقویت‌کننده  dB25/17 است و پارامترهای  S11 و  S22آن به ترتیب کمتر از dB24/9- و از dB74/9- است و S12 نیز کمتر از  dB5/28- است. هم‌چنین خطسانی این تقویت کننده (IIP3) برابر dBm4/3- است که نسبت به ساختار متداول بهبود مناسبی داشته است. کل توان مصرفی این ساختار با ولتاژ تغذیه 8/0 ولتی برابر  mW89/4 است که نسبت به ساختار متداول 70 درصد کاهش داده شده است. براساس جانمایی انجام شده مساحت اشغالی این مدار برروی تراشه mm2 89/0است.