فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

دراین مقاله، ترانزیستور اثر میدانی تونلی‌ بدون پیوند ناهمگن همراه شده با تکنولوژی silicon-on-nothing (SON HS-JLTFET) پیشنهاد می‌شود. ترانزیستور پیشنهادی در مقایسه با ترانزیستور تونل‎زنی بدون پیوند مرسوم دو مزیت دارد. اولین مزیت، یک دهه افزایش در جریان روشنی و بهبود 10 درصدی نوسانات زیر آستانه است که بخاطر استفاده از InAs در ناحیه‌ی سورس می‌باشد. InAs به دلیل انرژی شکاف باند کمتری که نسبت به Si دارد سبب پهنای سد تونل‌زنی کمتر در پیوند سورس/کانال می‌شود. لذا الکترون های بیشتری از سورس به کانال تونل زنی می­کنند. در نتیجه سبب افزایش نرخ تونل‌زنی و بهبود در جریان روشنی و نوسان زیر آستانه می‌شود. مزیت دیگر شامل کاهش جریان ambipolar به کمک تکنیک SON است. در واقع،  air به دلیل ثابت دی الکتریک کمتری که نسبت به اکسید SiO2 دارد میدان الکتریکی را در پیوند درین/کانال کاهش می‌دهد.میدان کاهش یافته سبب پهنای سد بزرگتری می‌شود. لذا جریان ambipolar را کاهش می‌دهد.