فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مقاله‏ ترانزیستور تونل­زنی عمودی مبتنی بر ژرمانیوم بررسی شده­است. ویژگی­های الکتریکی ترانزیستور در دو حالت استفاده از ژرمانیوم و همچنین استفاده از گالیوم-آرسناید به عنوان کانال مقایسه شده و شبیه‌سازی آن توسط نرم‌افزار سیلواکو و با  استفاده از مدل تونل­زنی غیر محلی انجام شده­است. نتایج نشان می‌دهد که جریان روشنایی بیشتر، جریان خاموشی کمتر و جریان دوقطبی درین کمتر در ولتاژ گیت منفی از مزایای استفاده از گالیوم-آرسناید به جای ژرمانیوم  به عنوان کانال است. در ادامه، پارامترهای کانال تغییر داده شده‌اند و اثر تغییر آن‌ها بر روی رفتار ترانزیستور مطالعه شده­است. افزایش طول کانال باعث کاهش جریان خاموشی و افزایش نسبت جریان روشنایی به خاموشی شده و همچنین باعث کاهش شیب زیرآستانه می­شود. از طرف دیگر، افزایش عرض کانال، باعث کاهش نسبت جریان روشنایی به خاموشی و افزایش شیب زیرآستانه می­شود. نسبت جریان روشنایی به خاموشی با افزایش طول کانال و کاهش عرض کانال افزایش می­یابد و این نسبت می­تواند تا 15+10×5/1 افزایش پیدا کند.