فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مطالعه، انتقال حرارت جابه‌جایی نانوسیال به صورت تک‌فاز، تراکم‌ناپذیر، آرام و دائم در یک کانال دوبُعدی سینوسی تحت تاثیر میدان مغناطیسی دارای محیط متخلخل بررسی شده است. شار حرارتی متناوب در دیوارهای کانال اعمال شده است. معادلات حاکم بر مسئله از طریق نرم‌افزار فلوئنت و با رویکرد حجم محدود گسسته-سازی شده و کوپلینگ سرعت و فشار با استفاده از الگوریتم سیمپل انجام شده است. محدوده عدد رینولدز جریان 500 ≤ Re ≤ 200 است. آب به عنوان سیال پایه در نظر گرفته است و نانوذره اکسید منیزیم به آن افزوده شده است. درصد حجمی نانوسیال 04/0 است. جریان نانوسیال در 4 عدد دارسی مختلف (00001/0، 0001/0، 001/0، و 01/0) و اعمال میدان مغناطیسی در 4 عدد هارتمن (0، 4، 7 و10) مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج به دست آمده نشان می‌دهد که در همه موارد با افزایش عدد هارتمن، حرارت منتقل شده بهبود و افت فشار افزایش می‌یابد. با افزایش عدد دارسی از 00001/0 به 01/0 در شرایط یکسان (رینولدز 500 و هارتمن 10) عدد ناسلت 392/4 برابر می‌شود. همچنین با افزایش عدد دارسی مقاومت ویسکوز کاهش یافت و همواره افت فشار کمتر شد به نحوی که نسبت افت فشار عددی کوچک‌تر از 1 به دست آمد.