فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

این مقاله‏‌ به بررسی خواص ساختاری و الکترونیکی مواد دو بعدی نامتقارن MoSi2PmAsn و MoSi2AsmSbn با استفاده از نظریه تابع چگالی می‌پردازد. در ابتدا، پایداری ساختارها توسط پراکندگی فونون اثبات شده است. در ادامه، ساختار نوارهای انرژی مواد به دست آمده است که نشان می‌دهد به جز ساختار MoSi2As3Sb، بقیه ساختارها ماهیت نیمه‌هادی دارند. همچنین چگالی حالت‌های ‌مبتنی بر اوربیتال نشان می‌دهد که نوار هدایت و ظرفیت همه ساختارها عمدتا از اوربیتال d اتم مولیبدن تشکیل شده است. به منظور اثبات وجود یک میدان الکتریکی عمودی ذاتی در این مواد، توزیع پتانسیل، توزیع بار و توابع کار در دو صفحه اتمی بالا و پایین ساختارها محاسبه و مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. در ادامه برای تنظیم خواص الکتریکی ساختارها، کرنش دومحوره داخل صفحه‌ای اعمال شده است. شکاف انرژی مواد در کرنش کوچکی به مقدار ماکزیمم خود می‌رسد، سپس در کرنش‌های بزرگتر کاهش یافته و در کرنش فشاری و کششی مشخصی به صفر می‌رسد و گذار از نیمه‌هادی به فلز روی می‌دهد. در انتها، ترابرد بین لایه‌ای در این مواد مورد مطالعه قرار گرفته است و جریان بین صفحه‌ای به دست آمده است. نتایج به دست آمده نشان می‌دهد که ترابرد بین لایه‌ای و در نتیجه میزان جریان عمودی به پیکربندی ساختار وابسته می‌باشد و در ساختار X3Yبیشترین جریان به دست می‌آید. نتایج به دست آمده و عدم تقارن ناشی از میدان داخلی در مقادیر جریان مثبت و منفی اثبات می‌کند که این مواد گزینه‌های مناسبی برای استفاده در ادوات نانوالکترونیک و به ویژه یکسوسازها می‌باشند.