بررسی تاثیر لایه بافر اکسید دوفلزی ZnGeO بر عملکرد سلول خورشیدی مبتنی بر اکسید مس بکمک شبیه سازی عددی
نویسندگان
1 گروه برق و الکترونیک، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه حکیم سبزواری
2 گروه برق و الکترونیک، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه حکیم سبزواری
doi
10.22075/jme.2022.25862.2203چکیده
در این مقاله تاثیر ترکیب اکسید دو فلزی روی ژرمانیوم (Zn1-xGexO) بعنوان لایه بافر در عملکرد و راندمان سلولهای خورشیدی با لایه جاذب اکسید مس (Cu2O) بررسی میشود. پارامترهای فیزیکی مدل سلول خورشیدی منطبق بر داده های تجربی انتخاب و سپس لایه جدید بافر ZnGeO بر اساس پارامترهای درون یابی شده سطوح انرژی ساختار نوار از ترکیبات دوتایی ZnO و GeO2 محاسبه شد تا امکان مطالعه عملکرد سلول خورشیدی در کل ترکیب ژرمانیوم را فراهم کند. ابتدا دقت مدل اولیه سلول خورشیدی با مقایسه مشخصات الکتریکی آن با مقادیر تجربی راستی آزمایی گردید. سپس ویژگیهای مدل اولیه با افزودن لایه بافر تحلیل و مشخصه یابی شد. با بررسی بازدهی سلول در بازه تغییرات x بافر (%35 تا %75 ژرمانیوم)، حداقل بازده31/5% در 35/0و حداکثر 02/7% در 65/0 x = بدست آمد. با ترکیب بافر Zn0.35Ge0.65O جریان اتصال کوتاه سلول 15/11 میلی آمپر و ولتاژ مدارباز آن 08/1 ولت محاسبه گردید.