فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مقاله طراحی و شبیه‌سازی مدارات پنج ارزشی مبتنی بر نانونوارگرافن ارائه شده است. منطق پنج ارزشی بیان شده منطبق بر منطق گلویس می-باشد. برای شبیه‌سازی ترانزیستور نانو نوار گرافن از مدل سازگار با HSPICE و تکنولوژی 15 نانومتر استفاده شده است. بر این اساس، ابتدا مدارات NAND و NOR پنج ارزشی پیشنهادی، طراحی و شبیه‌سازی شده‌اند. نتایج حاصله نشان می‌دهند این مدارها از نظر سرعت و توان مصرفی در مقایسه با مدارات همتای CNTFET خود از بهبود چشمگیری برخوردار هستند. در ادامه، مدار جمع-کننده به عنوان اصلی‌ترین بخش پردازنده‌های دیجیتالی در طراحی مدارات مجتمع، با منطق پنج ارزشی پیشنهاد گردید. . پاسخ گذرای مدارات حاکی از دقیق بودن خروجی‌ها می‌باشد. پارامترهایی نظیر توان مصرفی، تاخیر و حاصل ضرب توان در تاخیر محاسبه گردید. ارزیابی نتایج نشان می‌دهد مدار جمع‌کننده پیشنهادی دارای حاصل ضرب تاخیر در توان 3/179 فمتو ژول در ولتاژ تغذیه8/0 ولت و فرکانس کاری100 مگا هرتز می‌باشد.