ساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل زنی با دوپینگ خطی در ناحیه درین: شبیهسازی عددی کوانتومی
نویسندگان
1 دانشگاه صنعتی کرمانشاه
2 دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی کرمانشاه
doi
10.22075/jme.2018.2925چکیده
برای اولین بار، در این مقاله یک ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل زنی جدید پیشنهاد شده است که در این ساختار جدید به جای استفاده از یک دوپینگ سنگین در ناحیه درین ساختار متداول، از یک دوپینگ خطی استفاده شده است. این دوپینگ از وسط ناحیه درین به صورت خطی به سمت ناحیه کانال گسترش یافته است. میزان ناخالصی در محل اتصال کانال-درین صفر است. این ساختار ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل زنی با دوپینگ خطی (LD-T-CNTFET) نامیده میشود. رفتار الکتریکی افزاره پیشنهادی با شبیهسازی عددی کوانتومی و با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلی (NEGF) مورد بررسی قرار گرفته است. . نتایج شبیهسازی نشان میدهد که رفتار حالت روشن، حالت خاموش، نوسان زیر آستانه و کلیدزنی ساختار پیشنهادی در مقایسه با ساختار متداول بسیار بهتر میباشد. همچنین ساختار LD-T-CNTFET در مقایسه با ساختار متداول دارای فرکانس قطع بالاتری است و در نتیجه کاندیدای مناسبی برای کاربردهای با توان مصرفی کم و فرکانس بالا میباشد.
