خطای تک الکترونی در سیم باینری اتوماتای سلولی کوانتومی
نویسندگان
1 دانشیار دانشکده مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران
2 مجتمع برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران، ایران
3 گروه الکترونیک، واحد شهرقدس، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
doi
چکیده
اتوماتای سلولی کوانتومی، کی فناوری نوظهور در عرصه نانو فناوری می باشد و پیش بینی میشودکه درصورت رفع مشکلاتی نظیر ساخت، سالهای آینده جایگزینی برای تکنولوژی CMOS باشد.نقص های مختلفی ممکن است در سلول های اتوماتای سلولی کوانتومی حادث شوند. کیی از ایننقص ها، نقص تک الکترونی است که می تواند طی تولید یا عملکرد مدارات اتوماتای سلولی کوانتومیاتفاق افتد و منجر به ایجاد خطا در مدارات مبتنی بر این فناوری شود.بررسی این خطا از این جهتدر مدارات QCA حایز اهمیت است که نوع خطای ایجاد شده در این مدارات، با مدارات CMOSمتفاوت است. مدل سازی این خطا در سطح منطقی برای سیم باینری اتوماتای سلولی کوانتومی دراین مقاله ارائه شده است.
