فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مقاله یک آشکارساز مبتنی بر پدیده شکست بهمنی (­SACM APD­ InGaAs/Si­­) برای آشکار‌ساز نور در طول موج 1550 نانومتر ارائه گردیده است­. این آشکارساز با ساختا­ر­ی ساده­، از حیث لایه‌ها تعریف و کمیت‌های اصلی آشکار‌سازی آن همانند جریان تاریک­، جریان تابش­، بهره و پاسخ‌دهی، بهینه شده است. وجه برتری و تمایز این آشکار‌ساز این است که ولتاژ بایاس آن کمتر از مدل­های موجود در مراجع معرفی شده می‌باشد و کمیت‌های آشکار‌سازی آن نیز، قابل رقابت با آنها می‌باشد. این ولتاژ بایاس حداقل 41 % از دیگر مراجع تطبیقی در شرایط مشابه ­کمتر است. در شاخص(0.9Vbr) ‌­، جریان تابش­ Aμ 8.3 و جریان تاریک  4.9nA حاصل­ گشته است. در ولتاژ بایاس 25 ولت­ جریان تابش Aμ  51 و جریان تاریک  21­ نسبت به فوتودیود مشابه افزایش می­یابد. از این آشکار‌ساز برای کاربری‌های خاصی که نیاز به جریان تاریک بسیار پایین دارند نیز، می‌توان بهره برداری نمود.