فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مقاله، یک تقویت‌کننده‌ کم‌نویز در باند فرکانسی فراپهن GHz‌ 3/1-10/6 با استفاده از تکنولوژی CMOS 130 nm طراحی شده است. در این مدار از تکنیک‌ سورس تبهگنی برای گسترش پهنای ‌باند و ایجاد تطبیق ورودی و از تکنیک استفاده مجدد جریان برای دستیابی به بهره بالا استفاده می‌شود. همچنین از آنجا که اغلب تکنیک‌های تطبیق امپدانس خروجی موجب تضعیف بهره یا خط‌سانی می‌شود، از تکنیک معکوس‌کننده با پیک‌زنی القایی استفاده شده است تا علاوه‌بر فراهم نمودن تطبیق امپدانس 50 اهمی در خروجی، بهره و خط‌سانی را نیز بهبود دهد. این تکنیک رفتار هارمونیک سوم را بهبود و بهره را dB 2/7 افزایش داده است. مدار پیشنهادی دارای S11 کمتر از S22، dB ‌-1/9 کمتر از dB ‌-10، ماکزیمم بهره‌‌dB 19/6، عدد نویز بین 7/dB 2-2، توان مصرفی mw 28 و IIP3 با مقدار dBm -3/5 می‌باشد. همچنین ابعاد جانشانی طرح برابر µm 701/4 × µm 991/84 است. مزایای ساختار پیشنهادی در مقایسه با ساختارهای فراپهن با تکنولوژی یکسان، در بهره بالاتر، عدد نویز کمتر و تطبیق بهتر خروجی می‌باشد.