تقویتکننده کمنویز تمامتفاضلی CMOS با سطح منبع تغذیه پایین و بهره توان بالا برای کاربردهای فراپهنباند
نویسندگان
1 دانشگاه بیرجند
2 دانشگاه بیرجند
3 دانشگاه بیرجند
doi
چکیده
در این مقاله یک تقویتکننده کمنویز تمامتفاضلی جدید برای کاربردهای فراپهنباند ارائه شده است. تقویتکننده پیشنهادشده شامل طبقهی ورودی گیتمشترک برای بهبود تطبیق امپدانس و طبقه دوم سورس مشترک برای افزایش بهره و کاهش نویز تقویتکننده است. همچنین از فیدبک ترانزیستوری موازی-موازی برای افزودن درجه آزادی در انتخاب ترارسانایی ترانزیستور ورودی و بهبود پهنای باند و خطسانی استفاده شده است. تقویتکننده کمنویز پیشنهادشده بر اساس فنّاوری µm 18/0 CMOS RF-TSMC طراحی و با استفاده از نرمافزار ADS شبیهسازی شده است. این تقویتکننده در پهنای باند GHz 7-4، دارای بهره توان مسطح (S21) dB 25/0± 17، عدد نویز کمتر از dB 7/2، تلفات بازگشتی ورودی (S11) کمتر از dB 10- و خطسانی (IIP3) dBm 1- است. توان مصرفی آن نیز mW 5/8 از منبع تغذیه V 75/0 است.