بررسی مقاومت به رفتگی دما بالای پوشش های دو لایه SiC/ZrB2 با ساختار تدریجی اعمال شده به روش پاشش پلاسمایی محافظت شده با گاز آرگون تحت شعله پروپان
نویسندگان
1
2 جامعه المصطفی العالمیه
3 دانشگاه تهران
doi
چکیده
در این پژوهش پوشش دو لایه SiC/ZrB 2 به روش رخنهدهی و پاشش پلاسمایی بر روی گرافیت اعمال شد و رفتار رفتگی آن در شرایط شعله پروپان مورد بررسی قرار گرفت. پوشش میانی SiC با استفاده از روش رخنهدهی و در بستری از پودرهای Al 2 O 3 , C ,Si در دمای °C 1600 و در اتمسفر گاز آرگون بر روی زیر لایه گرافیتی اعمال گردید. بررسی میکروسکوپی و فازی تشکیل پوشش تدریجی SiC با ضخامت تقریبی μm 600 همراه با شیب غلظتی عناصر Si و C در ضخامت پوشش را تائید مینماید. لایه دوم ZrB 2 ، به کمک فرآیند پاشش پلاسمایی تحت دوش محافظ گاز آرگون بر روی زیر لایه گرافیتی حاوی پوشش تدریجی SiC لایهنشانی شد. مشخصه های ساختاری پوشش ZrB 2 با استفاده از SEM ، مورد ارزیابی قرار گرفت. مطالعات انجام شده نشان داد که پیوندهای مکانیکی در فصل مشترک پوشش- زیرلایه به خوبی برقرار شده و هیچگونه ترک و ناپیوستگی در پوشش مشاهده نشد. نتایج آزمون رفتگی نشان داد که این پوشش مقاومت خوبی در برابر رفتگی ناشی از شعله پروپان دارد. نرخ رفتگی جرمی پوشش پس از آزمون رفتگی g/cm -2 .s -1 3- 10 × 3/1- محاسبه شد.