تخمین نمایه عمقی عناصر در نمونه CIGS با آنالیز RBS
نویسندگان
1 دانشکده فیزیک، دانشگاه کاشان، کاشان، اصفهان، ایران
2 دانشکده فیزیک، دانشگاه کاشان، کاشان، اصفهان، ایران
3 پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، کاشان، اصفهان، ایران
doi
10.22052/rsm.2026.257935.1158چکیده
ساخت یک سلول خورشیدی لایه نازک CIGS با بازدهی بالا مستلزم دانش کافی از نحوه لایه نشانی، ضخامت، درصد عناصر و کیفیت نمونههای ساخته شده است. در این تحقیق با آنالیز غیرمخرب پس پراکندگی رادرفورد نمایه عمقی عناصر مختلف در یک نمونه ساخته شده آزمایشگاهی بهدست آمد. برای این منظور از پرتو پروتون با انرژی 1350 keV استفاده شد. نتایج آنالیز و شبیهسازی طیف بهدست آمده با دقت قابل قبولی ترتیب لایهها، ضخامت لایهها و درصد عناصر در هر لایه را اندازهگیری کرد. این تحقیق تأکید میکند که میتوان با هزینه کمتری نسبت به سایر آنالیزها درصد عناصر در ترکیبات را تعیین کرد. همچنین بهخاطر عمق نفوذ پروتون براحتی میتوان برای اندازه گیری عناصر در ترکیبات چندلایه که هر لایه نیز از عناصر مختلفی تشکیل شده است از این آنالیز استفاده کرد. نتایج بهدست آمده نشان داد که لایههای نازکی بین لایههای اصلی نمونه تشکیل شده که نشان از نفوذ عناصر بین لایهها است. مقداری تفاوت از استوکیومتریی در نظر گرفته شده برای نمونه هم مشاهده شده است.