پهن شدگی دوپلری گاماهای نابودی پوزیترون در ورقه های سیلیکونی نوع ان و پی تابش دیده توسط گاما، نوترون و الکترون
نویسندگان
1 گروه فیزیک، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، سیستان و بلوچستان، ایران
2 گروه فیزیک، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، سیستان و بلوچستان، ایران
doi
10.22052/rsm.2023.252969.1025چکیده
پهنشدگی دوپلری گاماهای ناشی از نابودی پوزیترون در ورقههای سیلیکونی نوع ان و پی که استفادهی فراوانی در صنعت الکترونیک دارند، اندازهگیری شد. ورقهها تحت تابش الکترونهای 10 مگاالکترونولتی (30 کیلوگری)، گاماهای چشمه کبالت 60 (175 کیلوگری) و شار نوترون حرارتی راکتور (038/0 گری) قرار گرفتهاند. در این تحقیق از یک سامانهی متداول همزمانی طیفسنجی نابودی پوزیترون، شامل یک آشکارساز فوق خالص ژرمانیوم، یک آشکارساز سوسوزن و چشمهی پوزیتروندهنده سدیم 22، استفاده شده است. فعالیت نمک پرتوزا، 7 میکروکوری است که بین دو لایهی نازک پلیمری، هر کدام به ضخامت 7 میکرومتر، ساندویج شده است. نتایج این تحقیق حاکی از ایجاد نقص قابل مشاهده در نمونههای سیلیکونی تابش دیده با الکترون است.