پهن شدگی دوپلری گاماهای نابودی پوزیترون در ورقه های سیلیکونی نوع ان و پی تابش دیده توسط گاما، نوترون و الکترون

نویسندگان

1 گروه فیزیک، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، سیستان و بلوچستان، ایران

2 گروه فیزیک، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، سیستان و بلوچستان، ایران

doi
10.22052/rsm.2023.252969.1025
چکیده

پهن­‌شدگی دوپلری گاماهای ناشی از نابودی پوزیترون در ورقه­‌های سیلیکونی نوع ان و پی که استفاده­ی فراوانی در صنعت الکترونیک دارند، اندازه­‌گیری شد. ورقه­‌ها تحت تابش الکترون‌­های 10 مگاالکترون­ولتی (30 کیلوگری)، ‌گاماهای چشمه کبالت 60 (175 کیلوگری) و شار نوترون حرارتی راکتور (038/0 گری) قرار گرفته‌­اند. در این تحقیق از یک سامانه‌­ی متداول همزمانی طیف­­‌سنجی نابودی پوزیترون، شامل یک آشکارساز فوق ­خالص ژرمانیوم، یک آشکارساز سوسوزن و چشمه­‌ی پوزیترون­دهنده سدیم 22، استفاده شده است. فعالیت نمک پرتوزا، 7 میکروکوری است که بین دو لایه­‌ی نازک پلیمری، هر کدام به ضخامت 7 میکرومتر، ساندویج شده است. نتایج این تحقیق حاکی از  ایجاد  نقص قابل  مشاهده  در نمونه‌­های سیلیکونی تابش دیده با الکترون است.