فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این کار، اثر تابش پرتو گاما روی خواص ترانزیستورهای اثر میدان نیمه‌هادی اکسید فلزی (MOSFET) (براساس تغییر ولتاژ آستانه‌شان در اثر پرتودهی) بررسی شده است. ابتدا، اثر تابش گاما روی ترانزیستورهای PMOS تجاری موجود در بازار برای دزیمتری مطالعه گردید. نتایج نشان داد که پاسخ آشکارساز نسبت به دز دریافتی خطی نیست، بنابراین در ناحیه‌های مختلف مورد بررسی قرار گرفت. سپس، دیودهای MOS )به‌صورت اتصال (Al/n-Si/SiO2/Al به‌عنوان دزیمتر ساخته شدند. نمونه‌های ساخته‌شده در دُزهای میلی‌گری تا کیلوگری تابش‌دهی و رفتار الکتریکی آن‌ها مورد بررسی قرار گرفتند. مشاهده شد که در بایاس مستقیم تغییرات جریان، کم اما در بایـاس معـکوس و در ولتـاژهای کمتر از 20 ولت تغییرات جریان دیودها نسبت به دُز دریافتی، زیاد و مقدار آن قابل اندازه‌گیری بود. هم‌چنین مشاهده گردید که حساسیت دیود یک عدد ثابت نیست و این ناشی از این مسأله است که منحنی تغییرات دُز نسبت به جریان خطی نمی‌باشد. از روی منحنی‌ها سه ناحیه نسبتاً خطی به‌دست آمد و حساسیت‌ها نسبت به این سه ناحیه محاسبه گردید.