فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

تغییرات بزرگ امپدانس الکتریکی رساناهای مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسی،  امپدانس مغناطیسی بزرگ (GMI)  و وابستگی آن   به جهت میدان مغناطیسی، اثر نامتقارنی امپدانس مغناطیسی(AGMI) نامیده می‌شود.  میزان حساسیت به مقدار و جهت میدان مغناطیسی اعمالی و همچنین میزان خطی بودن GMI از جمله پارامترهای اساسی در زمینه استفاده از کمیت مذکور در توسعه‌ی حسگرهای مغناطیسی هستند.  استفاده از شرایط بازپخت مناسب ضمن کاهش تنش­های داخلی ضمن ساخت، ایجاد نظم بلورین، و القای ناهمسانگردی مغناطیسی، می­تواند بهینه پاسخ GMI را به سادگی قابل کنترل کند. در این پژوهش  اثر مدت زمان تابش دهی با پرتوهای گامای حاصل از دو چشمه Co60 و Cs137 بر  نامتقارنی امپدانس مغناطیسی آلیاژ آمورف Co68.15Fe4.35Si12.5B15  مورد مطالعه قرار گرفت. بهینه زمان بهبود امپدانس مغناطیسی برای چشمه‌ی Co60  به مدت 30 ساعت و چشمه‌ی Cs137  به مدت 24 ساعت بدست آمد. نقش پراش پرتوx حاصل از نمونه نشان دهنده خروج نمونه‌ها از حالت آمورف و تشکیل بلورک‌ها است. اثرات  ناشی از پرتوهای چشمه  Cs137 نمونه را از نظر مغناطیسی نرمتر کرده و پاسخ نمونه را به میدان‌های مغناطیسی حول میدان ناهمسانگردی بویژه در نمونه بازپختی در 24 ساعت افزایش قابل ملاحظه‌ای داده که در نتیجه این نمونه را نسبت به دیگر نمونه‌ها برای کاربرد حسگری مناسب‌تر گردانیده است.