فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مقاله اثرات تابش­های پروتون و الکترون بروی لایه­ های محافظ در سلول منطقی دیجیتالی درون تراشه FPGA  با استفاده از کد  FLUKA شبیه­ سازی شده است.  با استفاده از کد مونت کارلوی، ترابرد الکترونها و پروتونها در یک سلول منطقی مربوط به دروازه ­ی دیجیتالی درون تراشه FPGA مورد بررسی قرار گرفته شده است. در این شبیه­ سازی، حداکثر انرژی الکترونهای و پروتونهای وارد شده به سلول منطقی تراشه بین 30 تا 50 مگا­الکترون ولت بوده و آثار اختلالات ناشی از تابش بر مواد نیمه­هادی و همچنین برخی از اثرات مخرب تابش پرتوهای الکترون و پروتون در پنج ساختار متفاوت با بکار بردن لایه­ های آلومینیوم، سیلیکون، دی اکسید سیلیکون، بورن و اکسید بورن مورد بررسی قرار گرفته شده است. نتایج شبیه­ سازی­ها نشان می­دهد، بکار بردن لایه­ی ضخیم دی اکسید سیلیکون در چند لایه­ ی متفاوت موجب کاهش آثار ناشی از اختلال ها نسبت به سایر ساختارها خواهد شد.