فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی (BJTs) قطعات نیمه‌هادی فعالی هستند که معمولاً به‌عنوان تقویت‌کننده و سوئیچینگ استفاده می‌شوند. در این تحقیق، ترانزیستورها برای کار در ناحیه‌ی فعال بایاس شده‌اند و با اندازه‌گیری مشخصه‌های الکتریکی قطعات، قبل و بعد از فرایند پرتودهی توسط چشمه‌ی 60Co، اثر تابش گاما بر روی هر یک از این مشخصه‌ها بررسی گردیده است. به‌منظور اندازه­ گیری هر مشخصه، ابتدا مدار مناسب برای هر ترانزیستور طراحی گردیده، سپس اندازه‌گیری‌های لازم انجام شده است. نتایج تجربی نشان می‌دهند که با افزایش دز دریافتی توسط هر ترانزیستور، جریان کلکتور کاهش و ولتاژ کلکتور-امیتر افزایش می‌یابد. به­ طوری که بیش­ترین تغییر در مقدار مشخصه‌های ترانزیستورهای BD911 و 2N3420، پس از دریافت دز kGy 20 مشاهده می‌شود. از طرفی دزهای تابشی کمتر از kGy 1 تأثیر اندکی بر روی مشخصه‌های الکتریکی ترانزیستورهای BJT دارند. بنابراین می‌توان گفت که این ترانزیستورها دارای مقاومت ساختاری بیش­تری در مقابل پرتو بوده و می‌توان از آن‌ها در طراحی مدارهای الکترونیکی و دستگاه‌هایی که در محیط‌های تابشی به کار می ­روند، استفاده نمود.