مدلسازی تغییرات ضخامت لایه مرده در شبیه‌سازی M‌CNP آشکارساز HPGe جهت بهینه‌سازی محاسبه بازده شمارش نمونه‌های داخل ظرف مارینلی

نویسندگان

1 دانشگاه خواجه نصیرالدین طوسی

2 دانشگاه خواجه نصیرالدین طوسی

doi
10.22052/4.3.11
چکیده

در این پژوهش روشی برای در نظر گرفتن تغییرات ضخامت مرده در سطوح اطراف و بالای آشکار ساز ژرمانیوم فوق‌خالصHPGe جهت شبیه‌سازی دقیق‌تر آن به خصوص برای نمونه‌های با هندسه مارینلی ارائه شده‌است. با توجه به اینکه در نظر گرفتن جزئیات تغییرات ضخامت لایه مرده در تمام نقاط سطح آشکارساز امکان‌پذیر نیست، در این مقاله در تقریب مناسبی تغییرات ضخامت لایه مرده در 12 قطاع سطح جانبی آشکارساز و 25 نقطه در سطح بالای آن بررسی شده ‌است. برای این منظور بازده شمارش چشمه نقطه‌ای استاندارد Am-241 در هریک از نقاط مورد نظر در آزمایشگاه اندازه‌گیری شده و با توجه به نتایج شبیه‌سازی MCNP < /span> مناسب‌ترین ضخامت لایه مرده برای هر نقطه انتخاب گردید. سپس روشی برای شبیه‌سازی آشکارساز با ضخامت لایه مرده متوسط سطح جانبی و ضخامت متوسطی برای سطح بالایی آن ارائه شد. برای بررسی این روش، نتایج شبیه‌سازی بازده شمارش محلول رادیواکتیو استاندارد در ظرف مارینلی با نتایج آزمایشگاهی شمارش، مقایسه شده و همخوانی مناسبی بین نتایج مشاهده شد.