فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این پژوهش، تأثیر موقعیت نقص دو حفره‌ای بر عملکرد الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی نانو‌نوار فسفرینی با لبه زیگزاگ بررسی شده است. با تغییر موقعیت نقص در طول و عرض کانال ترانزیستور، مشاهده شد که وجود نقص در سه موقعیت طولی ("نزدیک سورس"، "مرکز" و "نزدیک درین") و سه موقعیت عرضی ("مرکز"، "میانه" و "نزدیک لبه") مورد بررسی، منجر به کاهش نسبت جریان روشن به خاموش ترانزیستور می‌شود. بهترین عملکرد در ساختاری با نقص در موقعیت میانه عرض کانال مشاهده می‌شود که این نسبت برابر 1600 می‌باشد. علاوه بر این، فرکانس قطع در همه حالات کاهش یافته و کمترین کاهش در حالت قرارگیری نقص در موقعیت میانه و لبه عرض کانال رخ می‌دهد که این مقدار کمتر از 10% می‌باشد. برای انجام محاسبات، از روش شبه تجربی Slater-Koster با استفاده از پارامترهای DFTB-CP2K بهره گرفته شده است. این یافته‌ها نشان می‌دهند که موقعیت نقص دوحفره‌ای تأثیر قابل توجهی بر عملکرد الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی نانو‌نوار فسفرینی دارد و می‌تواند به عنوان یک عامل مهم در طراحی و ساخت این نوع ترانزیستورها مورد توجه قرار گیرد.