اثر سیبک اسپینی با واسطه فونون در ساختارهای ناهمگون عایق مغناطیسی
نویسندگان
1 دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران
2 دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران
doi
10.47176/ijpr.25.4.72146چکیده
اثر سیبک اسپینی در یک ساختار چندلایهای متقارن، متشکل از دو لایة عایق فرومغناطیس که بهوسیلة یک لایة عایق غیرمغناطیس از یکدیگر جدا شدهاند، تحت اعمال گرادیان دمایی بررسی شده است. انتقال غیرموضعی اسپین میان دو لایۀ مغناطیسی از طریق فونونهایی صورت میگیرد که بهواسطة برهمکنش مغناطوکشسانی و دینامیک مغناطش برانگیخته شدهاند. نتایج نشان میدهد که جریان اسپینی حاصل به ابعاد هندسی ساختار وابسته است، بهطوری که با افزایش ضخامت لایۀ غیرمغناطیس، رفتار نوسانی همراه با تضعیف تدریجی دارد و نسبت به ضخامت لایههای مغناطیسی نیز رفتار تشدیدی از خود نشان میدهد. علاوه بر این، ترابرد اسپین بهواسطۀ فونونها در این ساختار، میتواند تا فواصل چند صد میکرومتر تا میلیمتر ادامه یابد.