طراحی صافی نوری نوار عبوری در یک بلور فوتونی یک بعدی مبتنی بر نانونقص بازآرایی‌پذیر 3S2Sb

نویسندگان

1 گروه فیزیک اتمی و مولکولی، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر، ایران

2 گروه فیزیک اتمی و مولکولی، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر، ایران

doi
10.47176/ijpr.25.4.82168
چکیده

در این مقاله، پاسخ نوری یک بلور فوتونی یک‌بعدی متقارن حاوی لایۀ نقص مرکزی از نانومادۀ 3S2Sb در ناحیۀ فروسرخ نزدیک، به روش ماتریس انتقال شبیه‌سازی و تحلیل شده است. اثر گذار فازی لایۀ نقص از حالت آمورف به بلوری و تغییر زاویۀ تابش نور فرودی بر ویژگی‌های تراگسیلندگی ساختار در دو قطبش TE و TM بررسی شده است. نتایج نشان می‌دهند که گذار فازی آمورف به بلوری 3S2Sb موجب انتقال قرمز قابل توجه در طول‌موج مد نقص می‌شود؛ درحالی‌که افزایش زاویۀ تابش باعث انتقال آبی گاف نواری فوتونی و مد نقص در هر دو نوع قطبش می‌گردد. پهنای مد نقص در قطبش TE با افزایش زاویه کاهش یافته و عامل کیفیت بالاتری حاصل می‌شود؛ ولی در قطبش TM در زوایای نزدیک به زاویۀ بروستر، مد نقص با لبۀ گاف نواری ادغام شده و کارایی صافی کاهش می‌یابد. تحلیل اختلاف تراگسیلندگی بین دو فاز نیز حاکی از حساسیت زاویه‌ای و قطبشی بالای ساختار است. یافته‌های این تحقیق، پتانسیل استفاده از 3S2Sb را در طراحی صافی‌های زاویه‌-حساس و وسایل فوتونیکی بازآرایی‌پذیر با قابلیت سوئیچ و مدولاسیون طیفی تأیید می‌کند.