طراحی موجبر نواری سیلیکونی و مشخصههای اپتیکی آن
نویسندگان
1 گروه نانوفناوری، دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته، کرمان، ایران
2 گروه نانوفناوری، دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته، کرمان، ایران
3 گروه نانوفناوری، دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته، کرمان، ایران
doi
10.47176/ijpr.25.4.82183چکیده
در این مقاله یک موجبر پلهای با استفاده از نرم افزار کامسول طراحی شده و مشخصات اپتیکی آن شبیهسازی شده است. نتایج نشان میدهد که این موجبر دارای دو مد انتشاری شامل یک مد عرضی الکتریکی (TE) و یک مد عرضی مغناطیسی (TM) است. برای این دو مد، رخنمای میدان الکتریکی در چند طول موج شاخص رسم شده است. همچنین ضریب شکست موثر، پاشندگی موجبر و سطح مقطع موثر مدی بررسی میشود. برای این ساختار و در بازه طول موجی مورد بررسی ضریب شکست موثر مد TM همواره از TE بزرگتر بوده و هر دو مد در بازه طول موج مورد بررسی دارای یک طول موج با پاشندگی صفر هستند که برای مد TM در نزدیکی 5/2 میکرومتر و برای مد TE در 12/2 میکرومتر واقع شده است. از نتایج شبیهسازی مشاهده میشود که سطح مقطع موثر هر دو مد از مرتبه یک دهم میکرومتر مربع است و با طول موج رشد چندانی ندارد، بهعلاوه سطح مقطع موثر برای مد TE ابتدا افزایش یافته و سپس کاهش مییابد. در انتها با بهرهگیری از معادلات حاکم بر فرآیند تولید طیف ابرپیوستار در موجبرهای سیلیکونی، به مطالعه طیف ابرپیوستار در موجبر پیشنهادی پرداخته میشود. نتایج شبیهسازی نشان میدهد که با توجه به ویژگیهای پالس تزریق شده، پهنشدگی طیفی یک اکتاوی در خروجی موجبر ایجاد میشود.