بررسی اثر استوکیومتری بر خواص ساختاری و الکترواپتیکی لایه‌های نازک اکسید وانادیوم در لایه‌نشانی به روش کندوپاش مغناطیسی پالس توان بالا (HiPIMS)

نویسندگان

1 دانشکده علوم پایه، دانشگاه ولایت، ایرانشهر

2 دانشکده علوم پایه، دانشگاه ولایت، ایرانشهر

3 دانشکده علوم پایه، دانشگاه ولایت، ایرانشهر

doi
10.47176/ijpr.25.2.32067
چکیده

در این تحقیق لایه‌های نازک اکسید وانادیوم به روش کندوپاش مغناطیسی پالس توان بالا (HiPIMS) در نسبت‌های مختلف گاز واکنشی اکسیژن به آرگون با درصدهای 1، 2.5، 5، 10، 15، 20، 25 و 30 در پالس 45 میکروثانیه و در فشار اولیۀ محفظۀ لایه‌نشانی ٧-١٠×٢  تور و فشار کاری 5 میلی تور بر روی زیرلایه‌های شیشه‌ای لایه‌نشانی شده و به صورت ساختاری و الکترواپتیکی مطالعه شده‌اند. ترکیب شیمیایی این اکسیدهای فلزی با تحلیگر طیف سنجی فوتوالکترون پرتو ایکس (XPS) تعیین شده و به صوررت VOx با مقادیر مختلف x مشخص شده است. با بررسی خواص الکترواپتیکی، میزان شفافیت، عبور اپتیکی لایه‌ها و همچنین خواص الکتروکرومیکی آنها از طریق تحلیگر ولتامتری چرخه‌ای تعیین شد. نتایج نشان داد که کمبود اکسیژن در پالس‌های طولانی‌تر موجب کاهش متوسط عبور اپتیکی و کاهش گاف نوار اپتیکی لایه‌ها می‌شود.