مطالعۀ سازوکار رفتاری تراشه‌های ساخته شده از ترکیب اکسیدگرافن و پرمنگنات پتاسیم

نویسندگان

1 دانشکده فیزیک دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان، گاوازنگ ، زنجان

2 گروه فیزیک، دانشگاه بث، کلاورتون داون، باث BA2 7AY، انگلستان

3 دانشکده فیزیک دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان، گاوازنگ ، زنجان

doi
10.47176/ijpr.25.2.12045
چکیده

اکسید گرافن، شکل نیمه اکسید شدۀ گرافن  و عایق الکتریکی است. از اکسید گرافن می‌توان در ساخت قطعات الکترونیکی با مقاومت و ظرفیت متغیر( مقاومت حافظه‌دار و حافظۀ ظرفیتی) و میکروابرخازن‌ها با ساختار فلز/عایق/فلز استفاده کرد که تغییر حالت قطعه بر اساس رشد خوشه‌های گرافن در اثر کاهش لایۀ اکسید گرافن رخ می‌دهد. این فرایند رشد خوشه‌ها، یک فرایند الکتروشیمیایی برگشت ناپذیر است که به پارامترهای زیادی چون میزان میدان الکتریکی اعمالی و رطوبت محیط بستگی دارد و با کنترل آن می‌توان قطعات  پایداری به منظور حافظۀ ظرفیتی یا ابرخازن ساخت. در این تحقیق از مادۀ اکسندۀ پرمنگنات پتاسیم  برای کنترل  سرعت فرایند کاهش اکسید گرافن استفاده شده است و با توجه به مقدار پرمنگنات پتاسیم و مقدار میدان الکتریکی اعمالی در شرایط محیطی سه رفتار در ولتامتری  نمونه مشاهده می‌شود که می‌توان از این ساختار در ساخت مقاومت حافظه‌دار، قطعات یونی(ابزارهایی که فرایند یونی در آنها غالب است) و میکروابرخازن استفاده کرد. در این تحقیق، نتایج به‌دست ‌آمده بررسی و عملکرد قطعات مورد نظر مطالعه می‌شود.