فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این تحقیق، ما بر معادلات مغناطوهیدرودینامیک نسبیت عامی حاکم بر حرکت مغناطوپلاسمای برافزایشی بر یک سیاهچالۀ ساکن، حد نیوتنی اعمال می‌کنیم. و تحول زمانی یک قرص مغناطیدۀ برافزایشی ضخیم ناوشکسان را در حضور میدان مغناطیسی دوقطبی سیاهچالۀ مرکزی مورد مطالعه قرار می‌دهیم. با حضور رسانندگی الکتریکی متناهی برای سیال، در واقع تنش مغناطیسی، جایگزین تنش وشکسانی لایه‌ای در الگوی قرص استاندارد می‌شود و مسئولیت انتقال تکانۀ زاویه‌ای را به عهده می‌گیرد. همه کمیات فیزیکی سامانه تابعی از سه متغیر  ،  و  هستند. وابستگی زمانی توابع فیزیکی سامانه را از روش خودمشابه زمانی می‌یابیم. با فرضیات فیزیکی مناسب، وابستگی فضایی توابع را تا حد امکان با جواب‌های تحلیلی دقیق، و سپس به ناچار به روش عددی به دست می‌آوریم. جواب‌های خودمشابه نشان می‌دهند که با گذشت زمان،  فروریزش و چرخش سیال کندتر، قرص کم چگال‌تر، سردتر و کم فشارتر می‌شود، همچنین رسانندگی الکتریکی سیال نیز کاهش می‌یابد. هرچه رسانندگی الکتریکی سیال بیشتر می‌شود، فروریزش و چرخش سیال کندتر، قرص چگال‌تر و سردتر می‌شود ولی آهنگ بر افزایش جرم بیشتر می‌شود. چگالی جریان الکتریکی سمتی تولید شده به خاطر حرکت مغناطو‌سیال، ساختار میدان مغناطیسی درون قرص را تعیین می‌کند و منجر به یک مؤلفۀ قطبی برای میدان مغناطیسی قرص می‌شود. به لطف رسانندگی الکتریکی متناهی سیال، بر سطح مرزی قرص، خطوط ثابت میدان مغناطیسی قرص به خطوط دوقطبی میدان مغناطیسی سیاهچالۀ مرکزی متصل می‌شوند. با سپری شدن زمان، این پیکربندی ثابت می‌ماند؛ زیرا تابعیت زمانی مؤلفه‌های میدان مغناطیسی قرص یکسان است.