شبیهسازی اثرات دما و میدان مغناطیسی بر چگالی حالات سطحی در هتروساختارهای نیمرسانا
نویسندگان
1 -موسسه مهندسی و فناوری نامنگان، 160115، نامنگان، ازبکستان -مؤسسۀ مهندسی ساخت و ساز نامنگان، 160103، نامنگان ازبکستان
2 موسسه مهندسی و فناوری نامنگان، 160115، نامنگان، ازبکستان
3 موسسه مهندسی و فناوری نامنگان، 160115، نامنگان، ازبکستان
4 موسسه مهندسی و فناوری نامنگان، 160115، نامنگان، ازبکستان
doi
10.47176/ijpr.24.3.21845چکیده
در این مقاله، خواص فیزیکی سطح مادۀ CdS/ Si (p) تحت تأثیر میدان مغناطیسی مورد بررسی قرار گرفته است. وابستگی چگالی حالات سطحی نیمهرسانای نوع p Si(p) به میدان مغناطیسی و دما مطالعه شده است. برای اولین بار، یک مدل ریاضی برای تعیین وابستگی دمایی چگالی حالات سطحی یک نیمرسانا، تحت میدان مغناطیسی قوی توسعه داده شده است.مدلسازی فرایندها با استفاده از دادههای تجربی طیف انرژی پیوستۀسیلیکون انجام شده است . مقادیر تجربی فوق در دماهای پایین و میدانهای مغناطیسی قوی در گاف نوار سیلیکون بهدست آمدهاند. امکان محاسبۀ سطوح انرژی گسسته نشان داده شده است.
