فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

چکیده: در این مقاله تحلیل و طراحی یک تقویت‌کننده عملیاتی ارائه می‌شود. این تقویت‌کننده قادر به دنبال کردن سیگنال ورودی از زمین تا ولتاژ تغذیه در هر دو ورودی و خروجی آن می‌باشد. براساس سطح ولتاژ حالت مشترک ورودی، یکی از دو زوج دیفرانسیل nMOS و pMOS برای تقویت سیگنال ورودی انتخاب می‌شوند. لذا عملکرد مدار مستقل از رابطه جریان درین در ترانزیستورهای طبقه ورودی ‌خواهد بود. جریان‌های بایاس وac طبقه خروجی توسط دو حلقه تراخطی با کمترین حساسیت به تغییرات فرآیند ساخت، دما و تغذیه، تامین می‌شوند. نتایج شبیه‌سازی مدار در فن‌آوری سی ماوس 180نانومتر نشان می‌دهد تقویت‌کننده در حالت نامی دارای بهره ولتاژ dc درحدود80 دسی‌بل، پهنای باندبهره واحد 51 مگاهرتز، حاشیه فازº63 است درحالی که توان مصرفی ایستای آن تقریبایک میلی‌وات است. به‌ازای تغییرات ولتاژ حالت مشترک ورودی بین زمین تا تغذیه، حداکثر تغییرات نسبی هدایت انتقالی طبقه دیفرانسیل ورودی، بهره ولتاژdc، حاشیه فاز وپهنای باند بهره واحد به ترتیب %63/0، %80/0، %48/1و%33/0 می‌باشد. این تقویت‌کننده به عنوان بافر قادر به راه اندازی ترکیب موازی یک مقاومت بار400 اهم و خازن 20پیکوفاراد می-باشد.