فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

تقویت کننده کم نویز بالون پیشنهادی براساس ساختار CS-CG (سورس-مشترک – گیت-مشترک) می باشد. برای بهبود ایزولاسیون و پاسخ فرکانسی، تقویت کننده کم نویز بالون ترانزیستورهای کسکود را قبل از مقاومت های بار دارد. تقویت کننده کم نویز بالون از مدار تقسیم کننده جریان توسعه یافته برای افزایش هدایت انتقالی ترانزیستور CS استفاده می کند، به طوری که ترانزیستور تقسیم کننده جریان هدایت انتقالی N-1 برابر بزرگتر از هدایت انتقالی ترانزیستور کسکود را دارد. بدین طریق، هدایت انتقالی و جریان ترانزیستور CS، N برابر افزایش می یابد، به طوری که N-1 برابر جریان از ترانزیستور تقسیم کننده جریان عبور می کند. بدین طریق، جریان طبقات CS و CG برابر باقی می ماند. همچنین تقویت کننده کم نویز بالون یک فیدبک مثبت برای برآورده کردن تطبیق امپدانس ورودی استفاده می کند و ترانزیستور CG هدایت انتقالی بزرگتری را دارد. با افزایش هدایت انتقالی ترانزیستور های CG و CS ، تقویت کننده کم نویز بالون به بهره ولتاژ بالا می رسد. در نتیجه، ترانزیستورهای CG و CS جریانهای برابری دارند و بارهای مشابه در خروجی تفاضلی تقویت کننده کم نویز بالون پیشنهاد شده وجود دارد. بارهای مشابه باعث خروجی تفاضلی متعادل می شود. تقویت کننده پیشنهادی در فناوری 90-nm CMOS طراحی می شود و بازه فرکانسی 40 مگاهرتز تا 1 گیگاهرتز را پوشش می دهد. این تقویت کننده کم نویز به بهره ولتاژ dB 6/22، S11 کمتر از dB 10- و حداقل عددنویز 5 دسیبل می رسد. این تقویت کننده کم نویز بالون در ولتاژ تغذیه نامی 2/2 ولت کار می کند