بهبود گسیل خودبهخودی و بهرۀ مادی از نقطۀ کوانتمی CdSe/CdS
نویسندگان
1 گروه فیزیک، دانشکده آموزش، دانشگاه القادسیه، دیوانیه، عراق
2 گروه فیزیک، دانشکده آموزش، دانشگاه القادسیه، دیوانیه، عراق
doi
10.47176/ijpr.22.3.61501چکیده
این مطالعه به بررسی بهرۀ مادی و گسیل خودبهخودی بهبودیافته نقاط کوانتمی (QD) CdSe(1-x)S(x)/ZnS و CdSe(1-x)S(x)/ZnO میپردازد. نقاط کوانتمی سلنید کادمیوم (CdSe)، لایۀ مرطوب سولفید کادمیوم (CdS)، و لایههای حائل اکسید روی (ZnO) و سولفید روی (ZnS) برای دستیابی به QDs نیمه هادی با ناحیۀ فعال (B) مورد بررسی قرار گرفتند. ترازهای انرژی و همترازی نواری بین لایهها با استفاده از مدل قرص کوانتمی پیشبینی شد. بهره برای مدهای الکتریکی (TE) و مغناطیسی (TM) عرضی در ساختارهای QD با در نظر گرفتن عناصر ماتریس تکانه تخمین زده میشود. کسر مولی (x) و سهم مواد حائل (ZnO و ZnS) در افزایش بهره و گسیل خودبهخودی در این مقاله مورد بررسی قرار گرفته است. هنگامی که ZnS به عنوان یک لایۀ حائل استفاده میشود، گسیل خودبهخودی برابر با 1019×75/11 (eV.sec.cm3)-1 در x ~ 0.69 و طول موج 324 نانومتر به دست میآید و بهرۀ مادی بیشترین مقادیر cm-2 104×67/5 برای مد TM و cm-2 107×74/3 برای مد TE را دارد. در حالتی که لایۀ حائل ZnO باشد، در 44/0 x ~ و طول موج 365 نانومتر، گسیل خودبهخودی 1019×97/2 (eV.sec.cm3)-1 میشود و بیشترین مقدار بهره cm-2 104×11/2 برای مد TM و cm-2 10۵×24/1 برای مد TE است.