بررسی مقاومت مغناطیسی بزرگ در شبکه‌ای دو بعدی مربعی شامل دو ماده با مرز مورب

نویسندگان

1 دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شیراز ، بلوار مدرس ، شیراز

2 دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شیراز ، بلوار مدرس ، شیراز

doi
10.47176/ijpr.23.1.71531
چکیده

مقاومت مغناطیسی بزرگ به دلیل کاربرد‌‌های فراوان آن در شاخه‌‌های مختلف از جمله ساخت حسگر‌‌های مغناطیسی مورد توجه زیادی قرار گرفته‌‌است. حالت مهمی از این نوع مقاومت، مقاومت مغناطیسی خطی ناشی از ناهمگنی توزیع بار است. مقاومت مغناطیسی رسانای ناهمگن به وسیلۀ مدل شبکه ای مقاومت دو بعدی شبیه‌‌سازی می‌‌شود. در مدل شبکه‌‌ای، واحد مقاومت قرص دایره‌‌ای همگن با چهار پایانۀ جریان و اختلاف پتانسیل بین پایانه‌‌ها در نظرگرفته و جریان‌‌ها و اختلاف پتانسیل‌‌ها به وسیلۀ ماتریس امپدانس به یکدیگر مرتبط می‌‌شوند و میدان مغناطیسی اعمالی عمود برشبکه است. در این مقاله تغییرات مقاومت مغناطیسی برای شبکه‌‌ای شامل دو زیرسامانه با مقاومت‌‌های متفاوت با چینش مورب را مطالعه و بررسی می‌‌کنیم. نتایج نشان می‌‌دهد تغییرات مقاومت مغناطیسی سامانۀ ناهمگن به نسبت مقاومت دو ماده و همچنین مکان مرز بین آنها بستگی دارد. علاوه براین مشاهده شد که برای مقادیر بزرگ نسبت مقاومت یا ناهمگنی بالا امکان وجود قله در تغییرات مقاومت وجود دارد.