سوئیچ‌های الکترواپتیکی بر پایۀ جابه‌جایی گوس هانچن در یک برۀ کایرال ساختاری شبه همسانگرد آلائیده شده با نانوذرات فلزی

نویسندگان

1 دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز

2 گروه مهندسی اپتیک و لیزر، دانشگاه بناب، بناب، آذربایجان شرقی

3 گروه مهندسی اپتیک و لیزر، دانشگاه بناب، بناب، آذربایجان شرقی

doi
10.47176/ijpr.23.1.51449
چکیده

در این مقاله، کنترل الکتریکی جابه‌جایی‌ جانبی پرتوهای بازتابی از یک بره نانوکامپوزیت کایرال‌ساختاری شبه همسانگرد به صورت نظری بررسی شده‌است. این محیط از یک مادۀ کایرال‌ساختاری شبه همسانگرد که در آن نانو ذرات نقره به طور تصادفی در محیط کایرال پراکنده شده‌اند، ساخته شده‌است. نتایج نشان می‌دهد که در غیاب میدان الکتریکی با بسامد پایین، ساختار هیچ گاف باند فوتونی ندارد  و جابه‌جایی جانبی نور بازتابیده از این ساختار بسیار ناچیز است. با اعمال میدان الکتریکی با بسامد پایین یک گاف باند فوتونی در طیف عبور ساختار ظاهر می‌شود که تنها از انتشار امواج قطبیدۀ دایروی راستگرد جلوگیری می‌کند. در لبه‌های این گاف باند، جابه‌جایی‌های جانبی مثبت و منفی بزرگی مشاهده می‌شود. در این مقاله از خواص فوق الذکر برای طراحی سوییچ‌های الکترواپتیکی استفاده شده است.  همچنین نشان داده شده ‌است که این جابه‌جایی‌های جانبی با تغییر زاویۀ تابش نور، کسر پرشوندگی نانوذرات فلزی و ضخامت بره قابل کنترل است.