جفتشدگی قوی دینامیک مغناطش دو لایۀ آنتیفرومغناطیس به واسطۀ فونونها
نویسندگان
1 دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران
2 دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران
doi
10.47176/ijpr.23.1.21617چکیده
جفتشدگی قوی و بلندبرد دینامیک مغناطش دو لایۀ آنتیفرومغناطیس به واسطۀ فونونهای منتقل شده توسط یک عایق غیرمغناطیسی مورد بررسی قرار گرفته است. دینامیک مغناطش در یکی از لایههای آنتیفرومغناطیس از طریق برهمکنش مغناطوکشسانی منجر به برانگیختگی فونونها و پمپاژ آنها به لایۀ غیرمغناطیسی میشود. انتقال فونونها، که با خود تکانۀ زاویهای حمل میکنند، از طریق عایق غیرمغناطیسی از یک لایۀ آنتیفرومغناطیس به لایۀ دیگر، منجر به ایجاد به یک طرح تداخلی در طیف جذب میشود که بیانگر جفتشدگی دینامیک مغناطش دو لایه است.