فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مقاله، مطالعه­ای دقیق از مکانیزم تونل­زنی به کمک تله­ها در ترانزیستورهای اثر میدان تونلی ارائه شده­است. این پدیده باعث تولید جریان نشتی بزرگی قبل از شروع فرایند تونل­زنی باند­به­باند می شود و نقش کلیدی در تعیین جریان حالت خاموش این ترانزیستورها دارد. با اصلاح فرمول SRH نشان داده شده­است که در دمای اتاق برای ولتاژهای کم­تر از ولتاژ آستانه جریان تونل­زنی از­طریق تله­ها همواره غالب بوده و باعث تنزل مشخصه­ی کلید­­زنی ترانزیستور، که توسط شیب زیر آستانه سنجیده می­شود، می­گردد. این نتایج برای ساختارهای دو گیتی و GAA که در آن­ها تله­ها بین ناحیه تونل­زنی سورس-کانال قرار می­گیرند نیز قابل تعمیم است. فرایند تونل­زنی از­طریق تله­ها وابستگی قوی به میدان الکتریکی و دما دارد. در ساختار ترانزیستورهای مورد بحث در این مقاله از نیمه­هادی­های گروه سه و پنج جدول تناوبی استفاده شده­است. هم­چنین اثر متغیرهای ساختاری مختلف بر میزان جریان تونل­زنی از­طریق تله­ها در این پژوهش مورد بررسی قرار گرفته­است.