مادۀ تاریک برداری لپتوفیلیک و افزایش پس زنی الکترونی در XENON1T

نویسندگان

1 دانشکده فیزیک، صندوق پستی 19111- 35134، دانشگاه سمنان ، سمنان

2 دانشکده فیزیک، دانشگاه لرستان، خرم آباد

doi
10.47176/ijpr.22.4.11403
چکیده

با در نظر گرفتن پس‌زنی الکترونی در آزمایش XENON1T که اخیراً مشاهده شده است، ما پدیده شناسی مادۀ تاریک­ برداری را در تعمیم­‌های لپتوفیلیک مدل استاندارد بررسی می­‌کنیم، در حالی که نقش میدان‌­های واسطه‌ را میدان‌های جدید نرده‌ای، برداری و اسپینوری بازی می‌کنند. فضای پارامتری مناسبی اختیار می­‌شود تا امکان مادۀ تاریک برداری سبک با جرم 2/3 کیلو الکترون-ولت و منطبق با چگالی باقیماندۀ مادۀ تاریک را به دست آوریم. همچنین اثر قیدهای ناشی از گشتاور مغناطیسی ناهنجار میون، سنتز نوکلئونی باریون­‌ها و آزمایش‌های آشکارسازی غیرمستقیم را بر روی فضای پارامتری مدل‌ها مطالعه می‌کنیم.