مادۀ تاریک برداری لپتوفیلیک و افزایش پس زنی الکترونی در XENON1T
نویسندگان
1 دانشکده فیزیک، صندوق پستی 19111- 35134، دانشگاه سمنان ، سمنان
2 دانشکده فیزیک، دانشگاه لرستان، خرم آباد
doi
10.47176/ijpr.22.4.11403چکیده
با در نظر گرفتن پسزنی الکترونی در آزمایش XENON1T که اخیراً مشاهده شده است، ما پدیده شناسی مادۀ تاریک برداری را در تعمیمهای لپتوفیلیک مدل استاندارد بررسی میکنیم، در حالی که نقش میدانهای واسطه را میدانهای جدید نردهای، برداری و اسپینوری بازی میکنند. فضای پارامتری مناسبی اختیار میشود تا امکان مادۀ تاریک برداری سبک با جرم 2/3 کیلو الکترون-ولت و منطبق با چگالی باقیماندۀ مادۀ تاریک را به دست آوریم. همچنین اثر قیدهای ناشی از گشتاور مغناطیسی ناهنجار میون، سنتز نوکلئونی باریونها و آزمایشهای آشکارسازی غیرمستقیم را بر روی فضای پارامتری مدلها مطالعه میکنیم.