تأثیر دمای بستر بر ویژگیهای ساختاری، نوری، الکتریکی و ریختشناسی لایههای نازک اکسید روی
نویسندگان
1 گروه فیزیک، دانشکده علوم ماده، دانشگاه تیارت، الجزایر آزمایشگاه میکرو و نانوفیزیک (LaMiN)، دانشکده ملی پلیتکنیک اوران (ENPO)، اوران، الجزایر
2 گروه علوم مواد، دانشکده علوم، دانشگاه بیسکرا، الجزایر
3 گروه علوم مواد، دانشکده علوم، دانشگاه بیسکرا، الجزایر
4 گروه زیست شناسی، دانشکده علوم، دانشگاه حمه لخضر، الوادی، الجزایر
doi
10.47176/ijpr.22.3.01590چکیده
مقاله حاضر تأثیر دمای بستر را بر ویژگیهای فیزیکی لایههای نازک اکسید روی (ZnO) رسوبشده با استفاده از روش افشانه پیرولیز گزارش میکند. این لایهها ماهیتی بسبلوری با جهتگیری ترجیحی در امتداد [002] نشان میدهند. علاوه بر این، اندازۀ متوسط بلورکها با افزایش دمای بستر افزایش مییابد. نتایج میکروسکوپ الکترونی روبشی نشان داد که لایهها به طور یکنواخت و همگن توزیع شدهاند. میانگین عبور اپتیکی، بسته به دمای بستر، بین 62 تا 90 درصد متغیر است. از طرف دیگر، با افزایش دمای بستر، ضریب جذب کاهش مییابد و گاف نواری اپتیکی در محدودۀ 3٫25 – 3٫28 الکترونولت تغییر میکند. رسانش الکتریکی لایهّها نیز بین (mS.cm-1) 18 تا 58 متغیر است.
