لایهنشانی نانوذرات کادمیوم تلوراید روی زیرلایههای رسانای شفاف به روش تبخیر حرارتی
نویسندگان
1 گروه فیزیک، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
2 گروه فیزیک، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
3 گروه فیزیک، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
4 گروه فیزیک، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
doi
10.47176/ijpr.22.1.71278چکیده
نانوذرات کادمیوم تلوراید با روش تبخیر حرارتی در دمای زیرلایۀC °200 و فشار بر روی زیرلایه های شیشه ای که با لایه های نازک شفاف و رسانای اکسید ایندیم آلاییده به قلع (ITO) و اکسید قلع آلاییده شده با فلورین (FTO) پوشش داده شده است، لایه نشانی شد. ضخامت لایههای تهیه شده حدود nm200 تعیین شد. ساختار، خواص اپتیکی، الکتریکی و ریختشناسی سطح لایه ها به ترتیب توسط پراش پرتو ایکس (XRD)، طیف سنجی فرابنفش- مرئی (UV-Vis)، مشخصه یابی جریان-ولتاژ (I-V) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) تحلیل شدند. طیفهای XRD ساختار مکعبی لایۀ نازک کادمیوم تلوراید لایه نشانی شده بر روی هر دو زیرلایۀ ITO و FTO را نشان میدهند. جهت گیری ترجیحی فیلمهای لایه نشانی شده نیز از راستای (۱۱۱) برای زیرلایۀ ITO به (220) برای زیرلایۀ FTO تغییر کرد. اندازۀ بلورینگی لایه ها روی ITO و FTO در این راستاها به ترتیب برابر با حدود 23/41 و 34/84 نانومتر به دست آمد. با استفاده از طیف سنجی UV-Vis در محدودۀ طول موج nm 200-1200 طیفهای عبور از لایه های نازک مشخص شد. گاف انرژی اپتیکی لایه های نازک روی زیرلایه های ITO و FTO به ترتیب eV 1/60 و eV1/63 محاسبه شد. منحنی I-V رسانایی الکتریکی بیشتر لایۀ نازک کادمیوم تلوراید بر روی FTO را در مقایسه با ITO نشان میدهد. تصاویر ریختشناسی سطح، همگنی و یکنواختی سطح را نشان میدهد.