کاهش جریان دوقطبی در ترانزیستور اثرمیدان تونلی نانونوار ژرمانن با استفاده از همپوشانی گیت بر روی درین و کاهش میزان ناخالصی در ناحیه درین
نویسندگان
1 دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه کاشان
2 پژوهشکده علوم و فناوری نانو - دانشگاه کاشان
3 دانشگاه فنی و حرفهای - کاشان
doi
چکیده
در این پژوهش، کاهش جریان دوقطبی در ترانزیستور تونلی نانونوار ژرمانن برپایه نظریه تابعی چگالی و روش تابع گرین غیرتعادلی مورد بررسی قرار میگیرد. در این راستا با استفاده از دو روش پیشنهادی یعنی استفاده از همپوشانی گیت برروی درین و همچنین کاهش میزان دوپینگ سمت درین نسبت به سورس، میزان کاهش جریان تونلی ناشی از حفره ها مورد شبیه سازی و مطالعه قرار میگیرد. نتایج بهدستآمده با استفاده از نرم افزارهای کوانتوم اسپرسو و نانوتیکدویدز نشاندهنده این هستند که با امتداد طول گیت بر روی قسمتی از ناحیه درین، جریان دوقطبی کاهش مییابد که این کاهش جریان با افزایش طول همپوشانی بیشتر میشود. از طرفی با کاهش میزان دوپینگ سمت درین نسبت به سورس مجددا کاهش جریان دوقطبی اتفاق میافتد. در ادامه با تلفیق هردو روش پیشنهادی مشاهده میشود که میتوان بهخوبی جریان دوقطبی را در این افزاره کاهش داد که این موضوع یک امر مهم در طراحی مدارات دیجیتال به حساب میآید.
