تاثیر دما بر روی خواص نوری و توپوگرافی لایههای نازک ZrO2 تهیه شده به روش کند و پاش مغناطیسی بسامد رادیویی RF
نویسندگان
1 گروه فیزیک، دانشکدة علوم، دانشگاه بینالمللی امام خمینی، قزوین
2 گروه فیزیک، دانشکدة علوم، دانشگاه بینالمللی امام خمینی، قزوین
3 بخش لایه نشانی، مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران
4 گروه فیزیک، دانشکدة علوم، دانشگاه بینالمللی امام خمینی، قزوین
doi
10.47176/ijpr.21.2.61073چکیده
در این مقاله لایة نازک ZrO2با استفاده از روش کند و پاش مغناطیسی RF روی زیرلایه از جنس شیشه رشد داده شدند. در سه آزمایش جداگانه، سه نمونه لایۀ ZrO2در دماهای متفاوت تهیه شدند. سه دمای 25 درجة سانتیگراد (دمای آزمایشگاه)، دمای 150 درجة سانتیگراد و دمای 250 درجة سانتیگراد به ترتیب برای سه نمونه انتخاب شدند. به جز دما پارامترهای دیگر نظیر فشار، آهنگ رشد لایه، فاصلة زیرلایه تا هدف و بازۀ زمانی لایهنشانی برای هر سه نمونه یکسان بودند. خصوصیات اپتیکی و ریختشناسی نمونهها مورد بررسی قرار گرفتند. ریختشناسی نمونهها به وسیلة تصاویر میکروسکوپ نیروی اتمی AFM و میزان شدت عبور نور با استفاده ازدستگاه طیف سنج نوری انجام گرفت. همچنین ثابتهای اپتیکی لایهها با استفاده از طیف عبور آنها محاسبه شدند. نتایج به دست آمده نشان میدهند اثر دما به خصوص بر ویژگیهای اپتیکی لایهها مشهود است. با افزایش دما از دمای محیط آزمایشگاه تا دمای250 درجة سانتیگراد، ضریب شکست از تا تغییر میکند. افزون بر این، افزایش دما باعث افزایش جذب لایه میشود ریختشناسی لایهها نیز با دما به طور نسبتا محسوسی تغییر میکنند. متوسط زبری هر سه نمونه کمتر از نیم نانومتر است.