فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در ترانزیستورهای اثر میدانی ضخامت گیت دی‌الکتریک اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. بنابراین کاهش ضخامت گیت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی، سبب افزایش جریان تونلی و نشتی می‌شود. یکی از گزینه‌های مطلوب به عنوان گیت دی‌الکتریک،  نانو کامپوزیت‌های هیبریدی هستند که ثابت دی الکتریک بالا و گاف نواری پهنی داشته و در تماس با زیرلایه یا بستر سیلیکونی تعادل حرارتی دارند. در کار حاضر، نمونه‌های هیبریدیNiO/PVC با غلظت‌های مختلف مادة آلی را به عنوان یک مادة ‌دی‌‌الکتریک مناسب به روش سل ژل سنتز کرده و تلاش کردیم به کمک تکنیک تجربی تحلیل حرارتی و مشتق آن، کاهش وزن نمونه‌ها را در مقابل حرارت بررسی کنیم. برای اندازه‌گیری تحرک‌پذیری، ثابت دی‌الکتریک و رسانندگی نمونه‌های مزبور در دماهای بازپخت مختلف با دستگاه A132GPS، از محاسبة انرژی فعال‌سازی در نمودار لگاریتمی رسانندگی برحسب عکس دما استفاده کردیم. نتایج به دست آمده نشان می‌دهند که نمونة ‌NiO/PVC:2 به جهت دارا بودن ثابت دی‌الکتریک بالاتر جریان نشتی کمتری دارد. رفتار همة ‌نمونه‌ها نسبت به افزایش دما تا دماهای 400 کلوین تقریباً یکسان است. تفاوت میان نمونه‌ها در دماهای بالاتر بروز می‌کند، به صورتی که  نمونة NiO/PVC:2  در دماهای بالای 400 کلوین تحرک‌پذیری بالاتری دارند.