افزایش بازده سلول خورشیدی GaAs مبتنی بر ساختار p-i-n باند میانی توسط نقاط کوانتومی InAs در ناحیه ذاتی آن
نویسندگان
1 دانشکده مهندسی فناوریهای نوین - دانشگاه تبریز
2 دانشکده مهندسی فناوریهای نوین - دانشگاه تبریز
3 دانشکده مهندسی برق - دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران(آذربایجانشرقی) - تبریز
doi
چکیده
امروزه سلول خورشیدی باند میانی نقطه کوانتومی بهعنوان یکی از مناسبترین گزینهها برای دستیابی به حداکثر بازده در سلولهای خورشیدی میباشد. در این مقاله دو مدل سلول خورشیدی طراحیشده که مدل اول دارای ساختار p-i-n با بستر GaAs بوده و مدل دوم شامل نقاط کوانتومی InAs کاشته شده در ناحیه ذاتی آن میباشند. با بهبود ساختار و استفاده از مواد مناسب در سلول مرجع p-i-n بازده تا حد 34.03% افزایش یافته است. سپس، در ساختار سلول خورشیدی مبتنیبر نقاط کوانتومی، ازطریق کنترل اندازه نقاط کوانتومی و موقعیت قرارگیری آنها در این سلول خورشیدی GaAs باند میانی نقطه کوانتومی، بهبود بازده تبدیل انرژی بهمقدار 12.55% بهدست آمده و بازده تبدیل انرژی تا مقدار 55.58% ارتقاء یافت. در حقیقت، با این سلول خورشیدی باند میانی مبتنیبر نقاط کوانتومی بازده تبدیل انرژی بالایی ارائه میشود که تاکنون گزارش نشده است.