جفتشدگی غیرخطی دو نانوسیم پلاسمونیکی جفتشده با حضور اثر کر و جذب دوفوتونی در مد های TM00 و TM10
نویسندگان
1 گروه فیزیک اتمی و مولکولی، دانشکدة علوم پایه، دانشگاه مازندران
2 گروه فیزیک اتمی و مولکولی، دانشکدة علوم پایه، دانشگاه مازندران
3 گروه فیزیک اتمی و مولکولی، دانشکدة علوم پایه، دانشگاه مازندران
doi
10.47176/ijpr.20.4.71084چکیده
برهمکنش غیر خطی نانوسیمهای پلاسمونیکی از موضوعات مهم در مدارات مجتمع اپتیکی است. در این مقاله به بررسی اثرات جفتشدگی غیرخطی برای دو مد TM00 و TM10 در دامنههای مختلف بر روی دو نانوسیم پلاسمونیکی از جنس نقره در حضور اثر کر و حالتی دیگر که محیط علاوه بر اثر کر اثر جذب دوفوتونی نیز دارد، میپردازیم. نتایج نشان میدهد که اثرات غیرخطی با حضور اثر جذب دوفوتونی در دامنههای ورودی خیلی پایین تری نسبت به اثر کر ظاهر میشود. اثر کر در شدتهای بسیار بالاتری نسبت به اثر جذب دوفوتونی رخ میدهد و اثرات اپتیکی غیرخطی موجب کاهش جابهجایی موج پلاسمونیکی بین دو موجبر نانوسیم میشود. مقادیر طول جفتشدگی (Lc)- که این طول کمترین مسافتی است که طی آن در محیط جابهجایی موج بین دو نانوسیم صد در صد است- در مد TM00 کمتر از مد TM10 است. همچنین نتایح نشان میدهد که افزایش شدت در یک طول جفتشدگی به ازای دامنة میدانهای اولیه مختلف منجر به افزایش راندمان جفتشدگی میشود.