جفت‎شدگی غیرخطی دو نانوسیم پلاسمونیکی جفت‌شده با حضور اثر کر و جذب دوفوتونی در مد های TM00 و TM10

نویسندگان

1 ‎گروه فیزیک اتمی و مولکولی، دانشکدة علوم پایه، دانشگاه مازندران

2 ‎گروه فیزیک اتمی و مولکولی، دانشکدة علوم پایه، دانشگاه مازندران

3 ‎گروه فیزیک اتمی و مولکولی، دانشکدة علوم پایه، دانشگاه مازندران

doi
10.47176/ijpr.20.4.71084
چکیده

برهم‌کنش غیر خطی نانوسیم­های پلاسمونیکی از موضوعات مهم در مدارات مجتمع اپتیکی است. در این مقاله به بررسی اثرات جفت‎شدگی غیرخطی برای دو مد TM00 و TM10 در دامنه‎های مختلف بر روی دو نانوسیم پلاسمونیکی از جنس نقره در حضور اثر کر و حالتی دیگر که محیط علاوه بر اثر کر اثر جذب دوفوتونی نیز دارد، می­پردازیم. نتایج نشان می­دهد که اثرات غیرخطی با حضور اثر جذب دوفوتونی در دامنه‎های ورودی خیلی پایین تری نسبت به اثر کر ظاهر می‎‌‎شود. اثر کر در شدت‌های بسیار بالاتری نسبت به اثر جذب دوفوتونی رخ می­دهد و اثرات اپتیکی غیرخطی موجب کاهش جابه‌جایی موج پلاسمونیکی بین دو موجبر نانوسیم می‎شود. مقادیر طول جفت­شدگی (Lc)- که این طول کمترین مسافتی است که طی آن در محیط جابه‌جایی موج بین دو نانوسیم صد در صد است- در مد TM00 کمتر از مد  TM10 است. همچنین نتایح نشان می­دهد که افزایش شدت در یک طول جفت‌شدگی به ازای دامنة میدان‌های اولیه مختلف منجر به افزایش راندمان جفت‌شدگی می‎شود.