بررسی تجربی رشد جزایر مغناطیسی در پلاسماهای توکامک با اعمال محدود کنندة یکطرفه گسیلنده و میدان تشدید مارپیچی

نویسندگان

1 دانشکدة فیزیک، دانشگاه اصفهان، اصفهان

2 دانشکدة فیزیک، دانشگاه اصفهان، اصفهان

doi
10.47176/ijpr.20.3.3424
چکیده

در عصر حاضر، محصورسازی گداخت مغناطیسی به عنوان راهی برای تولید انرژی در نظر گرفته می‌شود. در ‏این تحقیق، یکی از محدودیت‌های مگنتوهیدرودینامیکی یعنی جزایر مغناطیسی که به دلیل اثرات فشار ایجاد ‏می‌شوند، مورد بحث قرار گرفت و لازم است به صورت سطوح مغناطیسی بسته، توسط یک جداگر که آنها را از ‏سایر قسمت‌ها جدا می‌کند، احاطه شوند. از میدان‌های مغناطیسی خارجی، ضریب ایمنی و پروفایل‌های فشار، ‏برای کنترل جزایر مغناطیسی استفاده می‌شود. این امر از طریق یک محیط خارجی، منحصراً گرمایش سیکلوترونی ‏الکترون و همچنین جریان راه‌انداز انجام می‌شود. مطالعة سطوح شار مغناطیسی و تأثیر اختلالات مغناطیسی بر ‏روی پلاسماهای توکامک، ما را از تشکیل جزایر مغناطیسی و محل آنها آگاه می‌سازد. در این تحقیق، همراه با ‏بررسی جامع جزایر مغناطیسی و اهمیت آنها، روش‌های مرسوم برای بهبود محصورسازی مغناطیسی معرفی و ‏مورد بحث قرار گرفتند. در این راستا، روش محدود کننده یک‌طرفه داغ و میدان تشدید مارپیچی که توسط سیم ‏پیچ‌های مارپیچی خارجی تولید می‌شود، معرفی و مورد استفاده قرار گرفتند و جریان پلاسما، ولتاژ حلقه و ‏نوسانات میرنوف برای حالت‌های مختلف به دست آمدند. در نهایت، عرض جزایر مغناطیسی و نرخ رشد آنها محاسبه ‏و با نتایج تجربی مقایسه شدند.