فهرست نشریات علمی دسترسی آزاد ایران

در این مقاله ساختار جدیدی از یک دیپلکسر با استفاده از تکنولوژی موجبرمجتمع‌شده (SIW) و رزوناتور حلقوی مکمل شکاف‌دار برای کاربردهای  LTE در فرکانس های 1.3 گیگاهرتز و2.1 گیگاهرتز طراحی شده است. این دیپلکسر فشرده‌شده, توسط رزوناتور حلقوی S شکل در یک ساختار موجبری ارائه شده است. در این طرح ابتدا فیلترهای متناظر با هریک از باندها در شبیه‌ساز طراحی و سپس با استفاده از پارامترهای پراکندگی هر یک از فیلترها ساختار T شکل در ورودی دیپلکسر بهینه‌سازی شد. با توجه به نتایج اندازه‌گیری دیپلکسر ساخته‌شده دهانه‌های ورودی و خروجی تطبیق امپدانسی مناسبی در باندهای مورد نظر دارند و تلفات انتقالی در فرکانس های1.3 گیگاهرتز و2.1  گیگاهرتز به‌ترتیب حدود  1 دسی‌بل و 2 دسی‌بل است. مقدار ایزولاسیون بین دهانه‌های خروجی بیش از30 دسی‌بل است. نهایتا ساختار پیشنهادی کارایی بسیار مطلوبی را منعکس می‌کند. این ساختار مزیت‌هایی را مانند ابعاد کوچک ، تلفات پایین ، ایزولاسیون بالا ، ساخت آسان و قابلیت مجتمع‌سازی‌شدن با دیگر مدارات مسطح را دارد.